您当前所在位置:首页 > 宣传资料 > 无机纳米
铜掺杂二硫化锡纳米片(Cu/SnS2)的实验研究
发布时间:2021-05-26     作者:axc   分享到:

铜掺杂二硫化锡纳米片(Cu/SnS2)的实验研究

黑色金属混炼物在光学仪器、网络和超导体地方有很广泛应运的应运二加硫锡(SnS兼具半导体性,它的结构特征在二维和三维立体硫化锌两者,体现了强的各向男人和**的电子光学性能。同时SnS2是CdI2结构,宽带能隙大约为2.35eV,可以用作太阳光能干电池涂料,也可操作于全息技术纪要模式性和电变换模式性,近期又有人会把它身为锂阳离子容量电池的阳极装修材料。还有就是我们显示根据Zn夹杂可比较明显降低了SnS2透气膜的阻值率

 在本研究中,我们利用水热法合成了系列Cu掺杂的SnS2样品,对其形貌、型式及磁特性实行了研究探讨。Cu是一种非磁性元素,利用其掺杂可以在非磁性半导体SnS2中获得本征的恒温铁剩磁,这都会为掌握稀磁半导体器件磁铁来自及其满足对其铁磁铁的有效控制有颇具指导意见性的目的。

〖化学合成〗

将1-xmolSnCl4·5H2O(x=0,0.01,0.025,0.05,0.07,0.10)、4mol硫代乙酰胺(TAA)及xmolCuCl2·2H2O在环境温度标准下参加到30ml去铁离子池里,均匀搅拌要花费30秒钟,等搭配不光滑后再加入NaOH将溶液pH调至6.5,搅拌40min将溶液转至50mL的聚四氟乙烯容器中,装入髙压反应迟钝釜中封好,放入烘箱中在200℃反应24h后,稍候作用釜自然美降温至在常温。将清新加热后的液体转到烧杯用去铝离子水总是水解、干洗,高于一切层盐溶液浑浊时,再加进

干燥箱中,在70℃下粗糙12h,再大自然水冷却至在常温,采集而来试品给出参加二水氯化铜的量不,得到Sn1-xCuxS2(x=0,0.01,0.025,0.05,0.07,0.10)纳米片

 

论文检测

应用X光谱线衍射仪(XRD,X'PertPROPHILIPSwithCuKαradiation)对颗粒样机开展物相分析一下,利用高分辨透射电镜(HRTEM,TecnaiTMG2F30,FEI,USA)观察样品的形貌,灵活运用X射线光电子能谱(XPS,VGESCALAB210)分析样品内元素及化合价态,采用产生振动样品管理磁强计(VSM)对样品的磁特性进行了表征

 

〖成果与座谈会〗

1.XRD毕竟及分折

图1如下图所示为Cu添加SnS2nm片的XRD衍射图谱,会看过拥有土样的衍射峰都各自于2H-型六角的SnS2(a=b=3.645Å,c=5.901Å,JCPDS89-2358)结构当Cu掺杂量为10%,在XRD的测试精度内没有观察到其他的杂相出现,且Cu掺杂后样品具有明显的(001)倾向。从图1b所示的(001)衍射峰的放大图可以看到,随着Cu掺杂量的增加,衍射峰逐步向低弧度摆动,这是由于Cu离子半径大于Sn离子半径而引起的(Sn4+~0.69Å,Cu2+~0.73

Å),此报告单进三步取决于检样中的Cu亚铁离子夹杂来到SnS2的晶格中代换了Sn铝离子的位置上

image.png

2.TEM的结果及数据分析

大家利用率电子散射电镜考察了土样的形貌,但是出现那些的样品管理都展流露出出六角颗粒状结构类型2a给出了样品Sn0.075Cu0.025S2的TEM结果从(b),(c)及(d)所示的HRTEM结果可以看到。样机呈多晶构成,在(d)图所取得范围内样品沿着(101)取向生长

image.png

3.XPS成果及了解

回收利用XPS对检样的生物学类物质实行了定性分析,然而说明因此的图纸都仅仅是内含Sn、S、Cu这八种设计元素(纯的SnS2中无Cu稀土元素),当中C和O无素来就是測試时土样表明物理吸附的一系H2O及CO2图3a给出了样品Sn0.075Cu0.025S2的XPS全谱图,结果显示在XPS的测试精度内无观察分析到其它的杂质残渣金属元素展现。还,从元素的高分辨XPS谱图结果可以得到:Sn3d3/2和Sn3d5/2的结合能分别为495.0和486.6eV,表明样品中的Sn元素呈+4价;而S2p1/2和

S2p3/2的构建能分别是坐落161.6和160.6eV,体现了其在原辅料中为-2价Cu稀土元素的运用能位置**卫星峰的出现表明Cu离子以+2价掺杂到了SnS2的晶格中

image.png

武汉pg电子娱乐游戏app 生物体科持有限的装修公司将从零维/一维/二维/三维四个分类来提供几十个产品分类和几千种纳米材料产品,材料的材质包含金属纳米材料和非金属纳米材料以及他们的氧化物或碳化物及复合定制材料等等,产品粒径从5纳米-2000纳米均可选择。

产品目录:

稀土掺杂硼酸钇二维纳米材料

稀土Ce3+对BN纳米片结构的掺杂

磷烯/六角氮化硼(P/h-BN)异质结

钨酸铋修饰氮化硼纳米片(Bi2O12W3/BN)

钨(w)掺杂改性多孔石墨相氮化碳(g-c3n4)

石墨相氮化碳(g-C3N4)固载磷钨酸(PTA)催化剂

烷基功能化氮化硼(BN)

透明质酸修饰氮化硼纳米片(HA-hBN)

聚多巴胺修饰氮化硼纳米片

铜—氮化硼复合材料Cu/BN

体相氮化碳(B-CN)和介孔石墨相氮化碳(mpg-CN)

陶瓷结合立方氮化硼(CBN)

碳纳米管/氮化硼复合材料(CNT/CBN)

碳化硅改性多壁碳纳米管(SiC/MWCNT)

碳化硅-氮化硼(SiC/CBN)陶瓷复合材料

碳掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)纳米片

碳材料/g-C3N4异质结

碳/碳纤维-硅硼碳氮陶瓷复合材料

碳/碳-碳化硅-氮化硼复合摩擦材料

碳/氮化硼复合材料

钛酸酯偶联剂改性六方氮化硼(h-BN)

钛酸钴/石墨氮化碳复合材料(CoTiO3/g-C3N4)

羧基修饰六方氮化硼(hBN-COOH)

羧基修饰改性氮化硼(hBN-COOH)

羧基聚乙二醇包裹六方氮化硼(hBN-PEG-COOH)

羧基聚乙二醇包裹氮化硼纳米材料hBN-PEG-COOH

羧基功能化g-C3N4氮化碳纳米片

水溶性六方氮化硼纳米片

双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT)改性氮化硼(BNOC)

双金属负载材料

石墨相氮化碳纳米管CN-NTs

石墨相氮化碳/石墨烯(g-C3N4/rGO)复合光催化剂

石墨相氮化碳(g-C3N4)与Bi系化合物复合材料

石墨相氮化碳(g-C3N4)和钛酸铋复合材料

凹凸棒土基/石墨相氮化碳基杂化材料

石墨相氮化碳(g-C3N4)和凹凸棒土(凹土,ATP)杂化材料

氮掺杂碳包覆氮化钒一维复合材料(VN@C)

氮化钒(VN)薄膜

钴掺杂氮化钒(Co-VN)纳米球

立方相VN粉体

氮化钒/石墨烯纳米复合材料(VN/GO)

氧化物歧化酶修饰氮化钒

透明质酸酶修饰氮化钒

阿隆-氮化钒(AlON-VN)耐火材料

花状氮化钒(VN)

氧化钒(V2O5)制备了氮化钒(VN)纳米材料

氮化钒/氮化铬(VN/CrN)复合粉末

氮化钒/多孔蚕茧碳复合电极材料

聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为软模板制备的氮化钒-碳(VN-C)材料

聚苯胺/氮化铬(PANI/CrN)纳米复合材料

氮化钒/碳电极材料

阿隆-氮化钒(AlON-VN)复相陶瓷材料

碳纤维增强碳化硅(Cf/SiC)复合材料

铝基碳化硅增强材料(A1/SiC)

脂质体包裹六方氮化硼纳米片(hBN)

介孔石墨相氮化碳负载钴(Co/mpg-C3N4)

原子掺杂六方氮化硼

原位修饰Ni2P纳米晶催化剂提高g-C3N4催化剂

银/石墨相氮化碳复合材料(Ag/g-C3N4)

钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料(Y4Si2O7N2-BN)

乙酰丙酮氧钒络合纳米薄片石墨化氮化碳(VO@g-C3N4-T)

石墨相氮化碳/二硫化钼(g-C3N4/MoS2)纳米复合材料

一维氮化硼纳米管BNNTs

叶酸修饰六方氮化硼(HBN-FA)

叶酸修饰石墨相氮化碳(g-C3N4)纳米片

叶酸聚乙二醇包裹六方氮化硼(hBN-PEG-FA)

氧化铝包覆六方氮化硼复合粉末

氧化锆/石墨相氮化碳复合材料(ZrO2/g-C3N4)

亚稳态立方相氮化硼e-BN纳米多晶

形貌改善,金属/非金属掺杂,以及异质结构建

酰基修饰六方氮化硼

纤锌矿结构的氮化硼(w-BN)

稀土硅酸盐改性氮化硼基复合材料


和谐信息提示:北京pg电子娱乐游戏app 生物体技术比较有限平台出售的企业产品仅用到研发,不允许用到另一个不同的用途