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一文介绍黑磷量子点BPQDs如何调节CsPbI2Br钙钛矿晶体薄层的成核及生长

发布时间：2021-04-27 作者：axc 分享到：

黑磷量子点（BPQDs）充当**的类晶种位点，以调理CsPbI2Br钙钛矿晶状体薄层的成核和种植，这样增加学习结束晶并**提升了形貌,探求了BPQDs的孤对电子无线能诱发CsPbI2Br前体硫酸铜溶液的大分子磷氧分子来进行强融合。去应力退火期间中的四相塑造诞生了相对安稳的α相CsPbI2Br。BPQDS/CsPbI2Br核-壳结构类型与此同时增加学习了相对安稳的CsPbI2Br微晶并**BPQD的空气氧化。这样，在生态具体条件下，0.7wt%的BPQDs内嵌CsPbI2Br复合膜元件中，能刷出15.47%的工作功率变为效果，提生了蓄电池的相对安稳性。〖文字与图案选读〗以下的TEM呈现能够液质分离拿到的BPQDs的截面积为3-5 nm，长宽比分布区过窄（图1A）。高粪便TEM图象提示 d距离为0.26和0,17 nm，区分相匹配的于BP多晶体的（020）和（060）晶面（图1B）。图1C为BPQDs饱和溶液的溶解光谱图，提示出从红外光谱线（UV）到700 nm的可见光波长领域的溶解。XPS提示主要是的P 2p峰地属129.8 eV随近（图1D）。

该研究首次发现CsPbI2Br薄膜的结晶过程包括四个阶段和三个阶段的转变，即在室温下为新鲜薄膜（淡黄色δ相），在50°C下为黑色相，在150°至200°C下为棕色相以及在280℃为黑立方α相。在CsPbI2Br前体溶液中添加少量的BPQD（0.5和0.7 wt％）会**改善CsPbI2Br膜在表面覆盖率和表面均匀性方面的形态学特性（图2A-D）。作者发现BPQDs @ CsPbI2Br杂化膜（0.7 wt％）的颜色在200°C下从棕色变成黑色（图2E- H）。在图2I中，CsPbI2Br薄膜在50°C时在14.69°和29.63°处出现两个分裂峰，代表低对称四方β相。在从100°C到200°C的温度转变过程中，薄膜的XRD谱图逐渐发展为**的δ相。在280°C退火后，纯α相主导了XRD图案。这些研究进一步证实了CsPbI2Br 结晶过程中的三相转变。相反，BPQDs@CsPbI2Br薄膜在200°C时已经显示出纯α相特性，具有（100）和（200）取向的强结晶峰（图2J）。这些结果表明，BPQD可以降低形成纯α相钙钛矿的能垒，从而产生光滑且高度结晶的BPQDs@CsPbI2Br。

共聚焦点机光打印荧光显微术（CLSM）用到实验在掺量少量的BPQD后CsPbI2Br钙钛矿晶胞膜的成核和发展的原子核手段。面对最原始的CsPbI2Br，在现在逐渐时候，SnO2保护膜单单从外表面能上现在逐渐构成具备有差异尺码和形状图片的晶核（图3A）；随体温偏高，具备有不不匀尺码的几种晶核倾向于发展成过大的晶胞块，使得钙钛矿膜的形态特征不规定和断层，空洞（图3B-C）。当掺量BPQD时，该获取剂可组建**的异质成核位点，为了解锁CsPbI2Br晶胞的不匀发展。图3D表现，因此高且规定的成核比热容，小晶胞不匀地分布点在BPQDs@CsPbI2Br的一部分单单从外表面能。磷的孤对电子器件（LPE）和CsPbI2Br阳亚铁离子彼此的相互之间效用可能会有利于促进杂化膜的不匀扩大和平整单单从外表面能性质（图3F）。