原子结构级壁厚的合金金属材质防化合物和硫族物质化物（硫化橡胶橡胶物、硒化物和碲化物等）（如衔接合金金属材质二硫化橡胶橡胶物、超导β相FeSe、拓扑结构隔热体Bi2Se3和Bi2Te3、LaAlO3/SrTiO3）和其异质设备构造更具多样化的物理上的性能指标和使用发展方向，进而近期来由于好大的点赞。氧硫族化学物质可等同于硫族化学物质和脱色物的混合型喂养和桥接，更具如高载流子挪动率、热电、铁电和超导性等**属性。Bi2O2Se是氧硫族氧化物皇室家族的**代表着，是一种种水汽安全稳定的高载流子渗透性的层状半导体技术，为第代名将金额功率器件和光電子学介绍了新的时候。只不过，现在Bi2O2Se的研发其主要的多在一块块晶状体和多个复合膜原辅料上，其主要的病因是共价键级级层厚的Bi2O2Se保护膜的发展还会存在硕大桃战。与以往CVD具体方法相比之下，原子束外延性原因其2D发育的模试和超长发育的带宽而在机的薄厚**闭环发育的等管理方面创造出**的长处。最后，氧原子团束概念需要求的超长真空室大环境也绝对供试品的超洁外表面，可进一步马上观察动物氧原子团透明膜的电子无线设计。而是，氧原子团级机的薄厚的硒腐蚀物透明膜的氧原子团束概念发育的没有实现了。
图1 共价键级宽度Bi2O2Se胶片的制得
(a) 在（001）趋向的SrTiO3（STO）衬底上本质成长分子级厚Bi2O2Se透气膜的提示图；
(b) Bi2O2Se的晶状体构造；
(c) SrTiO3的尖晶石结构类型。
图2 顺利通过MBE发芽Bi2O2Se薄膜和珍珠棉的**板材的厚度的控制
(a) 以TiO2为停止面的STO底材的面上形貌；
(b-e) MBE种植的、与众不同壁厚的Bi2O2Se保护膜的AFM形貌；
(c) MBE发育的Bi2O2Se膜板材厚度与的生长时长的关系的。
图3 MBE生長Bi2O2Se的横受力TEM研究方法
(a) Bi2O2Sepe膜与STO间程序界面的横截面积HAADF-STEM影像；
(b) a该图白框部位程序界面的氧原子级分辩率HAADF-STEM形象；
(c) b图例HAADF图象在兼备单轴应力重量εxx经济条件下的几何体相位阐述；
(d) b图示HAADF图象在包括单轴应变力信噪比εzz必备条件下的爆发相位浅析；
(e) 由EDS得到了的工具栏上Bi、Se、O、Sr和Ti的氧分子级分辩率稀土元素图；
(f) 菜单栏显示氧分子模式的菜单栏的HAADF-STEM影像。
图4 MBE生长发育的某个单胞（1-UC）厚 Bi2O2Se聚酰亚胺膜的电子无线结构的
(a) 在ARPES查测的1-UC厚Bi2O2Se膜的展示图；
(b) 在宽正激光能量范畴内平稳正激光能量轮廓线条的堆叠图；
(c) 在i) VBM和ii) VBM-0.4 eV频段处的稳态卡路里外部轮廓的光学散发抗弯强度图；
(d) 1-UC厚Bi2O2Se膜的折射率；
(e) 在漆层钾添加前（i）和应当的EDC（ii）的能用反射率；
(f) 在外面钾掺入后（i）和此类的EDC（ii）的能帶反射率。
顺利通过在二氧化碳风气党中央蒸发掉Bi和Se前置前驱体建立了原子结构级薄Bi2O2Se塑料膜的MBE生长的，在整合标准下主要包括2D产生模型但是Bi2O2Se胶片的**薄厚控制也的赖以推动。的研究得知，MBE发芽的**Bi2O2Se出现出分子级粪便的清析游戏界面和分子排列三。经过角粪便光电科技子能谱成功的英文观看到MBE植物的生长的1-UC Bi2O2Se透气膜的微电子结构的，科研然而证明其彰显出0.15 m0的低**的质量，高的转入率和与小块塑料薄膜比起来一些的带隙展宽。
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