外延生长Fe薄膜的过程,生长过程中及生产完成后RHEED图样
外加植物的生长Fe透气膜的的过程方式:(1)打算单晶硅肌底要控制本质,应该绝多晶硅基低界面的绝整洁,以有广泛用于束搏岩浆岩原子结构的界面多晶硅体场。而而言的多种的基低具的多种的整工院艺。而而言多晶硅硅基低,**顺序用到氯仿、二甲苯、甲醇展开超音波波的的洗涤;此外用5%的HF对界面展开氧化物2min,以清除界面氧化物层;接下来用去铝正离子水洗基低,用高纯惰性气体风干后不久将基低装有至重力作用度腔内的样机地上:还有,在高重力作用度中微波电进行加热至700 °C展开除气。而而言多晶硅GaAs基低,**顺序用到氯仿、二甲苯、甲醇、去铝正离子水展开超音波波的的洗涤;接下来用高纯惰性气体风干后不久将基低装有至重力作用度腔内的样机地上;在高重力作用度中国上将基低更快微波电进行加热至600°C差不多,促使GaAs才做到分解掉热度,还观查RHEED,当有细线衍射图纸时之后结束微波电进行加热,渐渐冷凝至在常温,使GaAs界面历经抽象化开始变得平整度。(2)植物生长环境的考虑在已完成肌底打算后,对生张的腔持继抽蒸空环境8至12小。在生张的腔的蒸空环境度稳固在10-1° mbar重量级后,经历过两个人小的时候,将Fe源加温至1250 °C。Fe源的环境体温决策了挥发碳原子团束的人流量(生张的波特率),各种原子团与肌底触碰时的电能(与肌底环境体温匹配合决策会不就可以十分累积),经历过查看文献资料和不间断现场实验,确实了Fe源环境体温为1250°c,肌底环境体温为30 °C。(3)膜衍生具体步骤在变热完工后,张开Fe的档板,逐渐开始bopp薄膜繁殖。在繁殖具体步骤中,24小时监测技术RHEED的样图并纪录,保护繁殖具体步骤中及产生完工后RHEED样图一直增加条状,进而设定繁殖经营摸式,为layer by layer的繁殖(若是是核繁殖经营摸式,或层核繁殖经营摸式,,则在繁殖具体步骤中应先导致线状样图与条状样图的生成率或变化生成率)。图甲图示,当基低为(100)面的单晶体GaAs时(晶格常数0.565 nm),计算方式宝宝出生长结束后的Fe复合膜的晶格常数为0.28 nm,达到α相的固体Fe的bcc晶胞晶格常数。