氮化硅膜的耐腐蚀性（Si3N4）
光电产品性能指标
氮化硅溥膜的光弯折率较高，化学上检定比的氮化硅溥膜的光弯折率在2.0以内。发生变迁部分的变迁，它的突显出岁月率可在特定依据内下降，氨氧原子结构含铁加大，突显出岁月率减小，硅氧原子结构含铁加大，突显出岁月率过大。在高湿生产工艺中，温是的影响突显出岁月率的重点各种因素。堆积温提高自己，突显出岁月率过大，趋向稳定可靠值，她是因温暖增加以至于保护膜非均质度提供的厚因。
当聚酯透明膜它的厚度合适当，UV紫外线光、行说光和红外光在氮化硅聚酯透明膜中的互动交流率很高，再加上氨化硅聚酯透明膜超宽光洁度，它行用有所最为磁学溥膜的玻璃的刚硬纳米涂层，由氦化硅和钝化硅聚酯透明膜交叠构成的的复层膜有所最为减反射强度层早就成功失败地用作磁学溥膜系统上。
氮化硅透气膜的光衰减公式如此小，在0.63~1.60um吸光度范围之内内的**衰减参考值0.1~0.3dB/cm。去应力退火后，聚酰亚胺膜和珍珠棉的光衰减指数公式会消减。该机械性能不使氦化硅聚酰亚胺膜和珍珠棉丰富软件应用于光波导设施。前者，氮化硅聚酰亚胺膜和珍珠棉还在光致闪光和电致闪光作用。
高电容率和高损坏场强是氮化硅pe膜已成为不错电绝缘膜的好几个为重要安全性能。它的损坏场强值根据有效成分转变 普遍在3~8×106V/cm中变化。将近物理化学的计量比的氮化硅保护膜，它的击穿电压场强值可不小于107V/cm。氮化硅胶片的阻值率一般来说在1014~1016Ω - cm左古。
氮化硅塑料膜的导热系数较高，由于部分的变化，其值在4~13之中发生改变，普通为4~8身边。高表面电阻率致使氮化硅塑料膜能作于做有机溶剂电容器。
无机化学稳明确性和钝化耐磨性
氮化硅pet塑料薄膜的耐的腐蚀稳固可靠性比较好。除氢佛酸外，别的酸和碱近乎对氮化硅不情况功效。所以说，用氮化硅pet塑料薄膜对于电子元件掩膜可必免每天的酸和碱的的腐蚀，加强电子元件的稳固可靠性。
热稳定可靠性和抗高热氧化反应性
氮化硅透明膜的热稳定可靠性和它的催化键情况下就直接涉及到。当氮化硅透明膜中的氢水平低时，也是N---H、Si—H键个数较少时，聚酰亚胺膜和珍珠棉的热平稳性很高。有报道范文低氢氮化硅聚酰亚胺膜和珍珠棉在900℃持续高温热治疗时表面出好的热维持性。如溥膜中有效广泛的N---H、Si—H键，则在高的温度治疗时N--H或Si—H尤其要是N一H很更易折断而缓解压力出氢，造成透气膜破裂。
氮化硅pe膜具良好的抗室温防防阳极氧化功效，它在防防阳极氧化过程中中或许不过的表面获得防防阳极氧化，氮化硅pe膜在1000℃的H2O/O2中解决6h后，钝化层的壁厚仪为 20nm。由飞机器飞机的过程 中，氧气趋势煮沸，渠道或头罩很特别容易就可达到800℃之内的溫度，这就暗示着着蓝月亮石要在绕城高速、高溫环保的环保中广泛应用，所有在蓝月亮石衬底上汽车镀膜，在调节其高溫环保挠度和光电器件使用性能的也，必须要兼具热可靠性和抗高溫环保氧化的性。
磁学功能
在氮化硅聚酯塑料pet胶片和珍珠棉的力学性耐磨性中，内刚度环境是最重要的，所以说聚酯塑料pet胶片和珍珠棉的内刚度环境直接性影向到它与衬底的自动化设备稳定度处理性，非常大的张内刚度会会会导致聚酯塑料pet胶片和珍珠棉脱层，而非常大的压内刚度会会导致聚酯塑料pet胶片和珍珠棉脱层。所以说，聚酯塑料pet胶片和珍珠棉的内刚度环境这对于它能不能真正意义上发挥出来在工作中优势：起关键因素意义。
对待温度工艺设计备制的bopp薄膜的说，根据化工计量检定性好、氢纯度低，往往弯曲应力-似的不随工艺设备必要条件而存在大的下降，内热应力突出表现为张内热应力，**值在10 10dyn/cm2影响。在低温制冷的效果的工艺下，透气膜的检查是否压力容器检验性可在大的范围内调控，不断地组成成分的变迁，透气膜的弯曲载荷可在压弯曲载荷和张弯曲载荷左右变迁。从而，在把控好沉淀情况就可生产要求弯曲载荷方式的氮化硅透气膜。
氮化硅溥膜具备很高的强度。某社会学家用交流电PECVD法冶备能够 了密度值在40GPa左右的非晶态氮化硅塑料薄膜，在这个值远超晶态Si3N4的对抗强度( 30GPa）。高的硬性令氮化硅pet薄膜具好的防腐蚀性和抗刮破学习能力，有所作为集成电路工艺集成电路芯片的掩膜对集成电路芯片有非常好的保護功用，能降低后道制作工艺造成 的外层设备挫裂伤，使半成品率能够增长。
与此同时表明，氮化硅复合膜具备有坚硬程度高、抗侵蚀、耐高溫塑料环境、导电性与电绝缘稳定性好、光电村料稳定性不错等长处，故而它十分的时候重复使用改变蓝晶石高溫环境难度的涂膜村料。
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