FTIR深入分析

图1为纳米级 SiO2渗透型前后轮的FTIR。SA-纳米技术SiO2的红外光谱仪在2859 ~2 924 cm-1处和1 377 cm-1处显现达到饱和状态一CH2和一CH3的C一H基缩动振动模式峰;与納米 SiO2做对比,SA-nm SiO2在3 445～3 500cm-1处一OH折叠振动模式峰对比值变小,讲解奈米 SiO2外面有局部一OH与别官能团反应迟钝而被盖住;而在1 695 cm―'处的一OH收放运动峰向低波数目标位移到1 661cm-1处,表达SA的一COOH与微米SiO2外壁的一OH情况反映。SA改善纳米级SiO2后将破裂SiO2的链状相聚组成,变低微粒间氢键等能力力,这对有助于微米SiO2a粒子在PBT中的解聚是极为有利的。

图1 SA与纳米技术SiO2和SA-nmSiO2的FTIR解析

TG具体分析

图⒉为纳米SiO2渗透型内外的热失重定量分析-热失重微分(TGA-DTG)直线。由图2可分辨,纳米级SiO2的更具失重温入党誓言度在200℃时间内,纳米级SiO2失重最主要的归入其漆层降解的微量分析含水率和漆层的硅-醇基(Si—OH)。随着时间的推移溫度已经增加到700℃,奈米SiO2有违重但不突出。SA-微米SiO2在100～450℃出显了3个严重的失重峰,在温度过低阶段中( 100~20o℃)的失重基本来自于SA-納米SiO2外层吸咐的轻微水;中温时段(200～450℃)的失重主耍原于SA-奈米 SiO2表层的酯键拆解。证明SA仍然接枝到微米 SiO2微粒的面上。

图2纳米技术SiO2和SA-nmSiO2的TGA-DTG具体分析

主要采用稀硫酸法纪备了SA 性能化改善的微米SiO2a粒子。FTIR 和TGA测式反映出SA 的—COOH与微米SiO2的表面的一OH 会发生响应,在nm SiO2表皮包裹了SA。

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