基于GeSn/Ge双层纳米线光电探测器件及性能表征

科研成员充分利用碳原子束外加枝术，非常成功制得出大建筑面积、高黏度且高长宽比的Genm线，并充分利用其算作模板制作，确认首次的堆积法收获了Sn酚类化合物可达到~10%的GeSn/Ge单层nm线形式。考虑到nm线体现了挠性且**的比表建筑面积，并能确认回弹力弯曲的措施有意识的主动弛豫脱离GeSn/Ge之前晶格失配机遇的剪切力，所以****GeSn/Ge软件界面处的缺点型成。考虑到GeSn体现了也是比较窄的的禁传输速率起步度，由于广泛应用场景GeSn/Ge单层nm线的微电子发现器元件比Genm线微电子发现器器体现了更长的发现器光光波长，拓宽到2 μm往上。考虑到**窄禁传输速率起步度GeSn导致的暗交流电大小扩大，科研成员进几步机遇体现了铁电性的P(VDF-TrFE)铝离子胶算作栅导电介质，确认侧栅宏观调控幅宽上大幅度降低了GeSn/Ge单层nm线微电子发现器器的暗交流电大小与静态数据工作电压，所以实行了兼有长光光波长与低暗交流电大小的微电子发现器，就扩展Ⅳ族产品nm线形式在微电子发现器各个领域的科研与广泛应用体现了为重要参考资料意议。

   

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