| 产品 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| 厚胶 Thick Resist | SU-8 GM10xx系列 | g/h/i-Line | 负性 | 0.1um | 0.1-200 | 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度**。 |
| SU-8 Microchem | g/h/i-Line | 负性 | 0.5um | 0.5-650 | 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度**。 | |
| g/h/i-Line | 正性 | 1um | 1—30 | 可用于选择性电镀电镀，深硅刻蚀等工艺。 | ||
| NR26-25000P | g/h/i-Line | 负性 | 20-130 | 厚度大，相对容易去胶。 | ||
| 电子束光刻胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| SU-8 GM1010 | 电子束 | 负性 | 100nm | 0.1-0.2 | 可用于做高宽比较大的纳米结构。 | |
| HSQ | 电子束 | 负性 | 6nm | 30nm~180nm | 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 | |
| XR-1541-002/004/006 | ||||||
| HSQ Fox-15/16 | 电子束 | 负性 | 100nm | 350nm~810nm | 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 | |
| PMMA(国产) | 电子束 | 正性 | \ | \ | 高分辨率，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 | |
| PMMA（进口） | 电子束 | 正性 | \ | \ | MicroChem，各种分子量，适用于各种电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 | |
| 薄胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（um) | 适用范围 |
| S18xx系列 | g-Line | 正性 | 0.5um | 0.4-3.5 | 较常用的薄光刻胶，分辨率高，稳定可靠。 | |
| SPR955系列 | i-Line | 正性 | 0.35um | 0.7-1.6 | 进口高分辨率（0.35um）光刻胶，稳定可靠。 | |
| BCI-3511 | i-Line | 正性 | 0.35um | 0.5-2 | 国产0.35um光刻胶，已经在量产单位规模使用。 | |
| NRD6015 | 248nm | 负性 | 0.2um | 0.7-1.3 | 国产深紫外光刻胶，已经在量产单位规模使用。 | |
| Lift off光刻胶 | 型号 | 光源 | 类型 | 分辨率 | 厚度（μm) | 适用范围 |
| KXN5735-LO | g/h/i-Line | 负性 | 4μm | 2.2-5.2 | 负性光刻胶;倒角65-80°，使用普通正胶显影液显影。 | |
| LOL2000/3000 | g/h/i-Line | / | NA | 130nm-300nm | 非感光性树脂，可以被显影液溶解，作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。 | |
| ROL-7133 | g/h/i-Line | / | 4um | 2.8-4 | 负性光刻胶，倒角75~80°，使用普通正胶显影液。 | |
| 光刻胶配套试剂 | 品名 | 主要成分 | 包装 | 应用 | / | / |
| 正胶显影液 | TMAH 2.38% | 4LR/PC | 正胶显影液 | / | / | |
| 正胶稀释剂 | PGMEA | 4LR/PC | 稀释剂 | / | / | |
| SU8 显影液 | PGMEA | 4L/PC | 显影SU8光刻胶 | / | / | |
| RD-HMDS | HMDS | 500ml/PC | 增粘剂 | / | / | |
| OMNICOAT | 见MSDS | 500ml/PC | SU-8增粘剂 | / | / |
光刻胶——高精度光刻的关键
在半导体设备行业制作业前沿技术，中下游微网络材料和主设备是作为支撑当列业的重中之重的部分。中下游微网络材料分为半导体设备行业制作业过 程上用到的那些化工产品，具有硅片、光刻胶及帮助产品、光掩模、CMP 磨光的装修材料、生产技术物理化学试剂、溅射靶材、 防化汽体等。在其中，光刻胶是摧毁**很重要整体素质的重要性原的装修材料。
光刻是将电线组合图形由掩膜版变动到硅片上，为后期的刻蚀工艺设备做提前准备的过程中 。光刻是 IC 加工操作过程中用时较长、 一定难度越大的工艺技术之中，用时占 IC 生产 50%，价格占 IC 制造出 1/3。在一起存储芯片打造中，通常要对硅片完成上多次 光刻，其大部分方法为清洁、涂胶、前烘、瞄准、拍摄、后烘、定影、刻蚀、光刻胶剥离技术、正离子倒入等。在光刻 的过程中，需要硅片上涂一半光刻胶，经紫外光线拍摄后，光刻胶的电化学材质引发的变化，采用定影后，被拍摄的光刻胶将被除掉，控制集成运放设计由掩膜版变动到光刻胶上，再根据刻蚀工艺技术，体现控制集成运放设计由光刻胶变动到硅片上。
光刻胶是光刻工艺设计太极为重要的办公耗材，光刻胶的性能对光刻控制精度至关极为重要。光刻胶是完成分光光度计光、准氧分子激 光、手机束、铝离子束、X X射线等黑与白的影响或光辐射，其融化度發生改变的耐蚀刻涂料。随着光刻胶极具光化学反应 神经敏物质性和防腐施工蚀的自我保护的作用，对此 大曝光、定影、刻蚀等新工艺，行将微细电路系统图像从掩膜版转至到硅片。似乎光刻胶营造的成本较为低廉，但有技能风险高，不容代替，难保存图片。
光刻的过程 提示图
光刻胶，并按照使用消费场景其他可分为半导体材料光刻胶、LCD 光刻胶、PCB 光刻胶。光刻胶是半导体材料设备产业的发展链的 资料要素，品牌进入校园市场为基础条件化工厂资料和协调耐腐蚀品行业领域，中上游为光刻胶化学合成要素，在下游为半导体材料设备产生，较大盘走势场是 电子元器件品牌利用最终。
光刻胶的类形：
光刻胶的注意组成有光刻胶环氧硅橡胶、光感应剂、萃取剂和添加图片剂。光刻胶环氧硅橡胶有的是种惰性的缩聚物机质，是能够满足 将一些资料聚合在来的粘接剂；光刻胶的润湿性性、胶膜它的厚度等性能皆是由聚酯树脂决定性的。光感应剂是光刻胶的核 心个部分，它对光方式的辅射源能，特意是在UV紫外线区光的辅射源能会产生响应；吹捧时候、线光源所试射采光的屈服强度都 和光感剂的特点同时相关联。液体是光刻胶中出水量较大的物品；毕竟光感剂和加剂都在nvme固态物品，为着将他俩 更加均匀地涂覆，要将什么和什么注入稀释剂来进行融化，构成液太有害物质，且使之存在良好的的流chan性，能能采用补偿器的方法涂覆 在晶圆外表。加入剂不错用于调整光刻胶的某类因素，如不错进行加入印染剂来有所改善光刻胶，使其进行反射强度。
光刻胶的木种很多种齐全，立于光感应硅胶粘合剂的耐腐蚀的结构，按技术水平可可分成光汇聚型、光可分解型、光交连型五种。其他，正性和负性光刻胶是光刻胶的两人重要的产品类别，光照度后养成可溶的物品的为正性胶，养成不宜溶的物品的为负 性胶。因此性较优，正性光刻胶软件更广，但因此光刻胶需求分析量大，负性胶仍很多定的软件行业市场。
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