Ph共价键的电子无线厂构型为 [xEl4fz5d 6s。6p。．电负性为 1．55放弃 6p。行列上的两位电子无线厂 后，变成 二价铅阴离子 Pb ．F分子的电子元器件构型为 rHe]2s2p．要素的电负性为 4．10eV．很比较容易 得到 一家 电子无线 ，为 一价 负阴阳离子 F一．不同两者的 电负能力差值，可以知道 Pb—F区间内的化工 键中， 阴阳阴离子键 所占的市占率约为 70％，应 为阴阳阴离子晶格． PbFz尖晶石有两 种构成类型 (方式表提示 )：一要立方米构成类型 PbF：)，又被叫做高 温相 ，另种是斜方构成类型 (n—PbF2)，被称作底温相 ．在过热蒸汽下，时间推移温 的增大，会 情况如 下 的相变历程 ：

n．PbF2— ．PbF2— 熔体 

演变 的体温 与阻力和 耐压状况想关．我们对无内应力颗粒剂，自然压下 n—PbF：— ．PbF 的相变温 度为 338。c，相变 的热啥 (△盯)为 1630J／toolIs]．粒度分布越小 ，转变成温暖越低，当粉磨 26h后 ，相 变 水温 回落到 295。c 热焓为 800J／tool[】．大部分环境下 ，相 变工作温度 的转变范 围为 250—340。c， 从逐渐 相变到相 变结 束的环境温度 间距为 40。c．是以相变 的电力 学区分，这一伴 随有占地和 热 焓 突然变化 的相 变属 于一个相变 ，且为不 不可逆转相变．当熔体冷凝时，只好从 中结 晶出 一PbFz，而 从 -PbF2— n．PhF2的相 转化通畅 需求在耐高温高电压水平时才能做到，还有转化 的速 度极其 缓 慢．

SnSe2 二硒化锡晶体 (Tin diselenide)

Bi2Se3 硒化铋晶体-未掺杂 (Undoped Bismuth Selenide)

三硒化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPSe3 MnPSe3 Crystals

硒化钨晶体（硫掺杂）（99.995%） WSSe WSSe Crystals

二硒化钨钯晶体（99.995%） PdSe2 PdSe2 Crystals

硒化铟晶体（99.995%） InSe InSe Crystals

二硒化钨晶体（99.995%） WSe2 (Tungsten Diselenide)-N型

二硒化钼晶体（99.995%） 2H-MoSe2 (Molybdenum Diselenide)-N型

三硒化锆晶体（99.995%） ZrSe3 (Zirconium Triselenide)

硒化锆 ZrSe3 (Zirconium Triselenide)

硒化金 AuSe (alpha phase Gold Selenide)

二硒化锆晶体（99.995%） ZrSe2 (Zirconium Selenide)

二硒化钨晶体（99.995%） WSe2(Tungsten Diselenide)-P型

二硒化钒晶体（99.995%） VSe2 (Vanadium Diselenide)

二硒化钛晶体（99.995%） 1T-TiSe2(Titanium Selenide)

二硒化钽晶体（99.995%） 2H-TaSe2 (Tantalum Selenide)

二硒化锡晶体（99.995%） SnSe2 (Tin Selenide)

二硒化铼晶体（99.995%） ReSe2(Rhenium Selenide)

二硒化铂晶体（99.995%） PtSe2 (Platinum Selenide)

二硒化铌晶体（99.995%） 2H-NbSe2(Niobium Selenide)

硒化钨钼晶体（99.995%） MoWSe2(Molybdenum Tungsten Diselenide)

硫硒化钼晶体（99.995%） MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide)