将钙钛矿模块化到半导体产业制得产业准则的光刻生产技术中。在这一科研中，建筑项目师们结构设计半个种光刻掩模图形，操控上下和横纵尺寸规格，定制开发出半个种操控钙钛矿单晶体出现的方式 （图1）。

图1. 光刻掩模法外延性的生长钙钛矿单晶硅

液体光刻捕助外延性生张和更改手段

在基本条件上（图1），进那步开拓了**、地控住钙钛矿多晶硅电子元器件出现和制造厂的方式—饱和溶液光刻捕助外加种子发芽和更换策略，采用指定衬底上制得单晶硅杂化钙钛矿pe膜。

图2是盐溶液的光刻帮助外延性生長和转出策略加工多晶硅体钙钛矿的过程中提示图下列不属于库存商品和应当多晶硅体重量定量分析。

实验员工用杂化钙钛矿纳米线（比如MAPbI3）作为一个概念繁殖杂化钙钛矿单晶体的衬底，次之，应用1层2μm的黑白图案画化缔合物（举个例子对二甲苯）为的生长发育掩模，但是，做好利用光刻技术应用在杂化钙钛矿小块单晶硅体硅胞的衬底上蚀刻掩模黑白图案画以控制薄型单晶硅体硅胞膜的的生长发育。后，将单晶硅体硅层从小块单晶硅体硅胞衬底上裂开，并在坚持其造型与对衬底的吸咐性的一起能够改变到任意衬底上。其次能够对该杂化单晶硅体硅溥膜的结构设计、电学、电子光学等分析定量分析也做好證明了其**的单晶硅体硅和光电科技学耐磨性。

图2. 稀硫酸光刻辅助软件外延性植物生长及转到方式配制多晶硅杂化钙钛矿溥膜

进十步地，如3提示，该单晶体塑料膜要被转入到打弯的常见衬底上，外形尺寸约为1cm×1 cm×2μm，钙钛矿坐落夹在双层原材料互相的碱性厂家立体上，为了更加塑料膜就可以弯曲变形。按照合理数百次的厂家疲倦试验台测评、光学玻璃显微分享、电学分享显示了其的厚度依赖症的厂家刚性和载流子输运规律公式。

那样软性及样板工程的载流子输运特证会使该多晶硅膜要能重构到**软性透气膜日能电池板或是可配带机器中，用来构建无源远程配件。

图3. 多晶硅杂化钙钛矿pet薄膜厂家主动及载流子输运层厚依赖关系

接着，研究分析团体充分利用铅-锡分为材质慢慢的发生變化的发育稀硫酸对其进行杂化多晶硅硅杂化钙钛矿的发育，体现了陆续系数带隙发生變化的多晶硅硅杂化钙钛矿膜（图4）。根据光电技术、SEM和电学对应了解定性分析声明书了**梯度方向带隙的变化的单晶硅杂化钙钛矿溥膜。

图4. 系数主成带隙调节作用单晶体杂化钙钛矿溥膜产生

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