P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延的技术形式

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4H型SiC（4H-SiC）护肤品阐述：

六方组成部分的4H型SiC（4H-SiC）拥有高临界点损坏交变电场、高电子为了满足电子时代发展的需求，移动率的其优势，是研制进行高压、高温作业、抗辐照热效率半导体原材料设备元件的样板工程半导体原材料设备原材料，也是现有综合评估能特别好、设备化层面高、系统稳重的第三方代半导体器件原料

P型台阶夹杂4H-SiC层层聚酰亚胺膜同质概念的大致数据信息

SiC本质膜食物图：

氧化硼SiC的外加成长的的办法其中包括以上下列

1)化学气相淀积CVD:（分为CVD和HTCVD高温两种）

2)升化或力学液相无线传输法PVT（可分成Lely熔法/LETI法和提升鸡蛋三明治法）

3)分子束外延MBE

4)液相外延LPE：（又包含Si溶剂和其他溶剂两种）

化学气相淀积CVD法是制造**外延结构的方法。反应器中的压力可以通过气体产生，低压化学气相淀积LPCVD，压力为10~1000mbar，低压可以减小气相成核，SiC一般使用较为广泛。这种方法的产量非常高。外延生长过程中，气相Si和C的比例会影响生长速率、外延层的质量以及杂质的掺入，CVD的一个优势便是可以在生长过程中很好地控制Si/C比。目前，对于SiC外延层仍然存在各种缺陷，从而对器件特性造成影响，所以针对SiC的外延生长工艺需要进行不断的优化，同时整个SiC器件的生产工艺以及设备也是后期不断关注的话题。

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