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化学气相沉积(CVD)在SiO2/Si基底上生长**石墨烯
发布时间:2020-07-08     作者:zhn   分享到:

无机化学液相形成沉积(CVD)在SiO2/Si底材上生長**石墨烯材料

 

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英文版名:二硫化硅/硅片石基低(可订做)双层结构/少层石墨稀

英文版缩写英文:Single layer graphene on Si/SiO2 substrate

图片尺寸:1cm*2cm

商品推荐:二脱色硅/硅片石底材(可定制网站)双层/少层石墨稀,是由CVD法萌发的重金属基低石墨稀材料经转交、凝固后而成,在二次搬运费纯铜箔外壁实现高溫化学工业现象,堆积的不同氧分子层料厚的石墨稀材料溥膜。

透光率:低于97%

单双层重叠率:不低于95%

方块电阻功率:400±50  Ω/sq

建筑高度:建筑高度私人定制(层层结构、层层、少层、层层等

电镜图和拉曼光谱分析:

image.png

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肌底:肌底可不同大家具体需求定制开发,也可由大家作为肌底。

物品保管:4℃

导出周期:1年

成品技术应用:导电原材料;電子功率器件;量子点电子元器件

工作制造商:石家庄pg电子娱乐游戏app 生物学自动化受限大公司

 

注意产品规格叁数:

底材

石墨烯材料底部加强区

种植形式

规格

存量使用量

300nm SiO2/Si

编织成单层石墨稀

湿法移动

1cm*1cm

1盒

300nm SiO2/Si

双层结构石墨烯材料

湿法适当转移

2cm*2cm

5盒

300nm SiO2/Si

一层石墨稀

湿法变更

2inch

2盒

300nm SiO2/Si

多层(层数可定制)

湿法转变

1cm*1cm

5盒

300nm SiO2/Si

多层(层数可定制)

湿法转出

2cm*2cm

2盒

300nm SiO2/Si

多层(层数可定制)

湿法变动

2inch

5盒

SiO2/Si可来样加工

楼层可定制网站

湿法转换

大小可个人定制

随着数层

 

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