卟啉分子通过共价键附在石墨稀上，形成几种不同的异向构型，这些结构受石墨烯边缘的局部结构和卟啉键合作用的影响，包括不同数量的 β 和耦合位置。当卟啉分子附着在 GNRs 上时，保持了它的磁性，这使得该系统成为一种理想的电极材料，实现了这种电子器件的实用化，能够**地调节卟啉基分子的电子和磁性质。

  通过不同的 β 和中间连接，将**卟啉分子侧附在 6zGNR 上，利用原理计算它的电子和自旋极化输运特性。与原始的 zGNRs 相比，porphine/6zGNRs 表现了所有耦合的 FM 基态。

  在此实验过程中我们发现1.卟啉与 6zGNR 的杂化干扰了石墨烯晶格对称性，导致自旋挫折，2.卟啉分子在传输函数中引入了 Fano 反共振，其能量位置取决于耦合的类型。同时，我们还探讨了栅电压下，这些 Fano 反共振的相关性，目的是控制零偏压下的自旋极化输运。结果表明，该自旋滤波器的自旋极化率接近98%。在低偏压下，由卟啉分子诱导的 Fano 反共振，显示出负微分电阻现象。随着电压的升高，自旋电流急剧增加。

图文制作经典导读：

图1 (a) 双电极器件示意图，其中卟啉分子附着在 6zGNR 上，β-(红色圆)和 meso -(粉红色圆)位置表明两个主要耦合点。(b) β-,β- (M1), (c) β-,β- (M2), (d) β-, meso-,β- (M3) 和 (e)β-,β-, meso-,β- (M4) 卟啉分子连接的示意图。M1 和 M2 的结构因卟啉环中间H原子的排列而不同。A 和 B 代表纳米带中，不同的 A/B 亚晶格碳原子，其数(1，.，11)代表了卟啉上的原子。H 原子的颜色是白色，N 原子的颜色是蓝色，C 原子的颜色是黑色。

图2 (a-d) M1、M2、M3 和 M4 的自旋密度等值图。注意，不同的耦合改变了卟啉分子中磁有序和强度值。蓝色和红色对应于自旋向上和自旋向下。

图3 (a-d)各自代替 M1、M2、M3 和 M4 系统的的自旋极化还能带架构(左图)和投射态孔隙率 (PDOS) (右图)。Porphine 对没个体统的意义，使用于 PDOS 中的隐影区。虚线/实线说明自旋往右/朝下。

图4 功率器件中 6zGNR 和 porphirin 原子处的自旋极化散发出谱(顶板)和高清投影态导热系数 (PDOS)：(a，b)M1，(c，d)M2，(e，f)M3 和 (g，h)M4。(i) EF 身边选择负峰匹配的散射态波函数公式。蓝绿色/鲜红色曲线方程相匹配于自旋向前/自旋-往下。

图5  (a,b)M1，(c,d)M2，(e,f)M3 和 (g,h)M4 系统软件在栅输出功率功效下的自旋极化散射谱。(i-l)Fano 反嗡嗡声消耗的能量的位址，与自旋滤波器生产率 (SFE) 与栅交流电压 (Vg) 的函数值相关。蓝/绿线对应着于自旋上移/自旋-由上向下。

图6  (a)M1，(b)M2，(c)M3 和 (d)M4 拼接的自旋极化 I-V 的特点。蓝线和红条各用说自旋往上和自旋向右。

图7 (a，b和c)在 V=0.3，0.4和1.0V下，M1系统的自旋极化透射谱。(d)，在偏压范围内，透射谱上 (I和II) 和偏压外V=0.3V时 (Iii) 的散射态。垂直虚线表示偏压大小。虚线蓝色(实心红)线对应自旋朝上(自旋朝下)。

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