调整合金硫族有机化合物（TMDCs）二维层状原材料由于广泛加关注，过渡期五金混炼物TMDs一类层状涂料，常规化学公式式可英语写作MX2，另外M代表会调整金属制营养元素，其中包含Ti、V、Ta、Mo、W、Re等，X带表硫属重元素电子层S、Se、Te等。一类产品具有着千奇百怪的电及光电科技使用性能，是可以普遍的APP于能源改换和抽取。伴随好多个共价键厚的半导体行业TMDs原因二维被限表現出的有趣的什么的高中物理原因，如分子级薄的MoS2的栅极引发超导、单双层MoS2的谷极化和自旋极化以其MoTe2从块体塑造为少层的过程中的可以打开文档的现象等，这类一个电子层厚的TMDs造成了探究者们的具有广泛性想法。可是，探究者们多数是在机分离法来兑换二维层片的TMDCs，二维淡入合金金属加硫物层片的自动生产制造如果还具有考验性。

硒化钒也是种**的合金材料性分层合金材料硫化橡胶物（MTMD）。鉴于硒化钒中相临V4+-V4+对的强電子藕合更加其有着金属材料性。大部分块体硒化钒单晶体经过化学反应工业气质联用色谱仪高速传输系统和之后的由上至下脱离步骤中 来得到及奈米厚的硒化钒奈米片。一个脱离步骤中 缺失可以控制 性且难于产量得到大规模不均的塑料胶片。罢了液质法、工具气质联用色谱仪沉积状状、化学反应工业气质联用色谱仪沉积状状法为表达的自下而上分解最简单的方法就已经被常做化学合成点奈米绝对误差的硒化钒片或硒化钒保持竖直多晶塑料胶片等。但是可以控制 的得到**、大晶粒大小、宽度乘以10nm虽然是三层的硒化钒晶粒度已经有**关键的意议。近几近些年来“三步法”（废合金材料被铁的氧化物或废合金材料氯化物与硫属单质不良反应）和“二步法”（底材复合化后进行混炼）被范围广的应用在试下TMDs的可以控制 制成。前属于发育办法更有有机会制成钢板厚度可以控制 的**TMDs晶胞也可能大空间的bopp薄膜。他们合并形式部分的现况可能可以淡化针对衔接复合塑炼物壁厚对其电/剩磁能的影响力方位的探讨，也能够 力促TMDs在电无机化学、锂電池等领域行业中的操作。

消息了借助“一步一个脚印”耐腐蚀气质联用火成岩法在电子层级平整光滑的云母片肌底上范德华生张取得了1T相的薄层硒化钒VSe2微晶奈米片。奈米片的层厚是可以从几奈米到一百多奈米调整。除此之外探索者察觉到二维单晶硅硒化钒体现出**的材料性，具备着超多的水的电导率106S/m，比其他二维板材的导电率高了1-4个数量级。

在异质概念衍生体制中，晶格中心对称轴度和晶格常数所需很棒的适应。既使在范德华概念衍生沙盘模型中作出追求是就可以降低，这使人层状建筑材料是就可以在与众不同晶胞中心对称轴度和更大的晶格错配度（NbSe2在黑云母上的生长期错配度提高达50%）下采取异质外加滋生。这一项能力被应用在在氟晶黑云母（KMg3(AlSi3O10)F2）底材上生张多层状涂料包扩拓补隔绝体、过度彩石混炼物、二维GaSe等。在此办公中矿石和硒化钒的晶格配备度更好，情况出同的双重相对性性。虽然矿石的晶格常数a1=0.53nm与硒化钒的a2=0.32nm的被适应，晶格错配度仅-3.8%。那样积极的配备因此硒化钒在白云母上的外加性衍生是于傳統的同质外加性绘图。