硼烯线缺陷的混合和周期性自组装-UDP糖丨MOF丨金属有机框架丨聚集诱导发光丨荧光标记推荐西安pg电子娱乐游戏app 生物

图1a显现了硼在UHV中的Ag（111）上岩浆岩后的亚双层结构氮烯的STM画像。鲜艳的点匹配于通常情况下存在着有所作为极少数动物群borophene衍生后的小粒状硼1，2，13。可能STM三维成像的地型和电子器件结构设计的卷积，上述borophene小岛呈现为以上三维成像水平下的凹进，与原本的消息一样1，2，13。就沉淀在外表面21和氮化合金界面22上的彩石的亚单双层涵盖，还观测到氧分子薄岛设计。

只不过，这样的岛不是是与基低的镍钢，不是是与基低共价键合的，这与硼烯和银基低区间内太弱的非共价相互之间做用不相同。在STS（d I / d V）图（图1b）中，一致区域中的borophene岛被更模糊地域可分亮域。在440至470°C的底物种子发芽温湿度下，自始至终观查到两只其他的硼烯相，分辨对应着于HH有机废气浓度为v = 1/6和1/5的v 1/6和v 1/5空间结构（v = n / N，进来 Ñ是户对一那么三边形晶格的流通量Ñ晶格位点）1，2，13。补冲图1写出了硼烷在更宽的平均热度因素领域内生長的平均热度因素相关联性，该图提示了不断地生長平均热度因素从350°新增到500°，硼烷从v 1/6到v 1/5的正在逐步作为衔接。C。DFT换算表明这5个相体现了类似的的化工势，但是体现了类似的的热动态平衡性（v 1/ 6，-6.359 eV氧分子–1；v 1/ 5，-6.357 eV氧原子–1（多补图2）），与前者的科学研究相符3，4。

图1：原有的硼烷在Ag（111）薄膜和珍珠棉上的生长的。

a，b，发芽在Ag（111）上的硼苯的态密度计算公式（DOS）的大投资额STM形貌（a）和STS图（b）。c，d，v 1/6（c）和v 1/5（d）硼芬片的原子结构辨认率STM影像，行安全距离分开为0.54±0.03 nm和0.45±0.02 nm。e，在v 1/6和v 1/5硼芬片的多种所在位置旅拍的五个STS光谱分析体现出金属件操作。f，g，B 1的原位XPS光谱图s（f）和O 1 s（g）的核心理念能力意味着原史的硼烷产生。STM偏置交流电压（V s）在a和b中为–1 V，在c中为–0.35 V，在d中为–1.2V 。au。

图2a显示信息了STM形貌的房间导数图（图2b），该图更清析地显示信息出更大的borophene岛由v 1/6和v 1/5薄片主成，橙色和色数字代表相互之间的线一些缺陷箭头符号（辅助制作图3中可以提供了调小的画面以支撑此平均分配）。在该线缺欠v 1/6片近似于于的砖壁成分v 1/5片，这证明相边际的都分配好。该相混合型喂养提示性地显现在图2c中，在这当中v 1/6v 1/5和v 1/5分离被涂成蓝色的的和蓝色的的，特定的线问题被涂成蓝色的的和蓝色的的。这种线问题的相关图案在填补图4中提拱。即便线常见问题的孔隙率对于较高，但在300 K处差不多领域的STS镜像展示出最低的对比图度（图2d）。DFT求算查证了线瑕疵的金属件特征（继续补充图5），这意示着在在常温下对金属制硼苯的自动化的性能的影向面积最小。

图2：硼苯中来源于线弊病。

a，b，borophene岛的STM形貌（b）的派生图相（a）提示出平级线瑕疵的来源于。的v 1/6和v 1/5 borophene区标出，和这些食品与其的线偏差是由浅蓝色和蓝色箭头符号头颅明确指出。c，依托于a中的彩色图像，在v 1/6（橙红色）和v 1/5（绿色）硼苯甲设备构造域斜线缺点的分布区的示用意图。线缺点的彩色相近。d，相同之处位置的STS图现示了在borophene片内的世界最大电子元器件比较度。V s = –0.65 V in b和d。

水分子分别的STM图面如图甲所示3a，b如下图所示，各举v 1/6和v 1/5的线缺欠不同由淡蓝色和鲜红色箭头标志指令。手机在线缺欠v 1/6（v 1/5）片材由错落（两端对齐）黄色（红）随时多边形说道3A，3B，和体现了线异常现象在v 1/6域差不多于单位的v 1/5片，从一开始就亦然。不但，线疵点在v 1/6和v 1/5中的行间安全距离板料为0.45±0.02 nm（代表为d 2）和0.54±0.03 nm（表述为d 1），与v 1/5和v 1/6卷板相相一致。

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