标段素二维层状建材（硅烯、锗烯、锡烯、磷烯、碲烯、铋烯和硼烯）

我门对石墨烯文件、双层结构和多层电路板作为衔接合金文件混炼物等二维文件、许多原子核似然法壁厚的层状文件的钻研进况是飞速。二维文件故有奇妙的属性放在电子技术、感知、动能贮存和采摘等问题的风险适用而被钻研者们所诸多钻研。

顾名思义，，“单位素二维涂料”是由单独化学事物构造的二位层状产品。自石墨稀被表明并大面积研究探讨到现在，“象限素二维材料”一家的团员一个劲快速发展壮观，分为好几回些新奇的文件，如硅（Si）、锗（Ge）、锡（Sn）、磷（P）、碲（Se）、铋（Bi）和硼（B）等因素的二维资料形状，也是也是的硅烯、锗烯、锡烯、磷烯、碲烯、铋烯和硼烯。他们资料基本都还具有半导带隙和高迁入率，使它在電子学和光電子学中的应该用如此又刺激。和同一二维资料一个，它的特征能够 很便捷地借助无机化学和静电感应添加或加入应力应变等措施来调准。

硼烯线障碍的混合着和周期时间性自组装流水线

二维（2D）硼（即，borophene）镶嵌左右原理精准预测1，2，3，4，5。它的废金属特点和高的面内各向喜欢的人将石墨烯材料6和编织成单层黑磷7的大多数自然暴击伤害结合实际在同食。有所作为转化成的2D的原材料，其结构特征本质特征无非从大块硼中推论获得，这察觉未察觉硼烯的一直有异常现象。

在里，人们实用超长真空系统（UHV）扫面隧道口显微镜观察/光谱图学（STM / STS）和规格泛函系统论（DFT）在原子核尺幅上钻研了硼烯线问题。在合理的种植条件下，硼烷相对性应于v 1/6和v 1/5发觉绘图可以与另一相的包含单元测试卷相连接的架构设计相护混合着并装下线常见问题。以上线常见问题在能源内有有利区域空间时间是性自组装流水线，若想导致新的硼芬相，这模糊的了硼芬尖晶石和常见问题左右的本质区别 。基于其高的剖面各向喜欢的人并且在能源和架构设计上似的的多晶型物，在这种症状是硼芬所的。恒温量测进这一步阐述了与带电粒子密度单位波（CDW）保持一致的小小手机特征描述描述，这样特征描述描述由层面缺陷报告调制解调。这样原子团级的表达可能性会为正开始的系统设计borophene的应用软件小程序的制作和变现制做奋力。

原子核清澈束缚内的间接合成视频有效途径使2D材料也不会在块体8中层。比如说，硼的氧原子级薄的阶段中，，称做为borophene 1，2，已被试验做到。理论知识运算預测，在还有就是的角形晶格存在似的的进行能，但弧形正六边形（HHS）的各种摆设的许多概率borophene多晶型3，4，5。

图a提示了硼在UHV中的Ag（111）上基性岩后的亚双层氮烯的STM图片。艳丽的点相当于于一般 现实存在身为较少鱼类borophene产生后的小粒子硼1，2，13。考虑到STM影像的地貌类型和光电格局的卷积，阐明borophene小岛展现为以下成相前提条件下的内陷，与原先的曝光同步1，2，13。在累积在的表面21和氮化复合外壁22上的彩石的亚单双层扩大，还检查到氧原子薄岛构成。并且，等等岛就是是与肌底的铝合金，就是是与肌底共价键合的，这与硼烯和银肌底互不之间较差的非共价互不用处有差异 。在STS（d I / d V）图（图b）中，一致领域的borophene岛被更了解清楚省份可分为亮域。在440至470°C的底物发芽的温度下，一直留意到两个人有差异 的硼烯相，分别为表示于HH浓度值为v =  1/6和1/5的v 1/6和v 1/5的结构（v = n / N，在这当中   Ñ是户对一反之三角形晶格的数为Ñ晶格位点）1，2，13。继续补充图1做出了硼烷在更宽的温差表因素范围内内产生的温差表因素相应的性，该图展现了如今产生温差表因素从350°多到500°，硼烷从v 1/6到v 1/5的急剧过渡期。C。DFT计算方式彰显这两位相具备有类同的物理势，所以说具备有类同的热维持性（v 1/ 6，-6.359 eV原子核–1；v 1/ 5，-6.357 eV氧分子–1（填写图2）），与原本的实验不同3，4。

a，b，发展在Ag（111）上的硼苯的态密度单位（DOS）的大整体规模STM形貌（a）和STS图（b）。c，d，v 1/6（c）和v 1/5（d）硼芬片的原子结构粪便率STM图像文件，行间隙分別为0.54±0.03 nm和0.45±0.02 nm。e，在v 1/6和v 1/5硼芬片的不同的方位拍摄技巧的六大STS光谱仪呈现出合金活动。f，g，B 1的原位XPS光谱图s（f）和O 1 s（g）的关键水平方向表达原状的硼烷生长发育。

b，STM偏置电阻值（V s）在a和b中为–1 V，在c中为–0.35 V，在d中为–1.2V 。au，同一公司的。

下图作为的两人相的原子团尺幅的STM图像文件。1个各分为C，d，。或许从复的矩形框结构类型单园在v 1/6页的毗邻行中分散对齐（用橘红色圆形认为；行距离为0.54±0.03 nm），但以下模块交叠排列顺序，类试于v 1中的外墙纹路/ 5张（用黑色长方形写出；行间行间距为0.45±0.02 nm），与原先的工作中相一致2。

这2张重塑料片基本上重塑料的，假如在300 K时任何相上的d I / d V直线所关系证明的（图1e）。在图1f中，B 1 s的原位X放射线光电产品子能谱核心理念级别适于几个亚峰（红，187.6 eV；蓝色系，188.9 eV），代表于去掉原型（深绿色的曲线）后有所差异的B–B键。在大概需要192 eV处没氧化的的硼峰，加进的O 1 s层面程度表现（图1g）声明了硼苯的原有的性质。